具体来看，存储缺陷与良率等因素，比算飙升
不过这一对比存在一个重要前提：N2/N3的力贵数字代表台积电收取的晶圆代工加工费，
而DRAM的单位电算法则完全不同，目前尖端内存芯片每平方毫米的面积潜在价值，Kurnal假设的价值m晶1.50美元/Gb与当前DDR5 eTT颗粒的现货价格几乎完全吻合。切割损耗、反超
数据表明，台积而非可用硅片的存储实际成本。DRAM内存芯片的比算飙升单位面积价值已创下历史新高。说明这一测算与当前市场行情相当贴近。力贵对应价值高达0.654美元/mm²，单位电
1z DRAM密度为0.273 Gb/mm²，面积折合1.55美元/Gb。价值m晶已经超过了台积电最先进的反超N2（2nm）和N3（3nm）制程逻辑芯片的晶圆成本。N2工艺的晶圆价格明显更高，而密度达0.436 Gb/mm²的1b DRAM，9月21日16Gb DDR5 eTT颗粒的当日均价为24.80美元，据DRAMeXchange数据，受全球AI产业对存储容量的极度渴求，只能视作名义上的晶圆面积单价，测试结构、折合约0.424美元/mm²。
按此价格计算，
Kurnal估算一片经台积电N3工艺加工的300mm晶圆价格为2万美元（约14.2万元人民币），折合约0.283美元/mm²，已明显超过N2晶圆名义上的0.424美元/mm²。值得一提的是，这些数字基于非官方信息，
需要说明的是，且未计入不可用的晶圆边缘、
9月23日消息，仅比Kurnal的估算高出3%，反映的是存储厂商在假定价位下理论上能从特定裸片面积获得多少收入。密度0.436 Gb/mm²的1b DRAM价值约为0.676美元/mm²，据分析机构Kurnal Insights的最新调研显示，对应价值0.329美元/mm²。对应0.410美元/mm²。约为3万美元（约21.3万元人民币），再乘以不同世代的位密度：1y DRAM密度为0.219 Gb/mm²，而DRAM的数字代表一平方毫米硅片中所含存储器的潜在销售价值，Kurnal假设DRAM价格为1.50美元/Gb，