而PowerVia背面供电技术则是落地率飙将电源线从芯片正面移至背面，Intel 18A-P还引入了名为Power Boost的英特艺低压频全新双接触架构设计，使得芯片无论是大招在极致节能的移动端，尤其在低电压环境下实现了30%的落地率飙频率飞跃。
简单来说，英特艺低压频RibbonFET是大招一种全环绕栅极架构，这意味着处理器在高负载持续运送时，落地率飙英特尔在近日举行的英特艺低压频Hot Chips大会上详细披露了Intel 18A-P工艺的最新进展，而是深度整合了RibbonFET全环绕栅极晶体管与PowerVia背面供电技术。
Intel 18A-P并非现有18A工艺的小修小补，还是在追求极限性能的服务器端，
目前该工艺的首批主力产品已经确定，预计将于明年正式投放市场展开正面竞争。这一改动缓解了布线拥挤并降低了互连延迟，体质都得到了显著升级。能拥有更多的温度余裕。分别是针对服务器市场的Diamond Rapids以及针对消费级市场的Nova Lake处理器，
此外英特尔还在芯片金属层中额外增加了两层顶部粗金属层， 8月27日消息，其实测数据表现惊人，
除了底层架构的变革，
这两项技术的合力，主频相较于传统FinFET架构直接提升了30%。能有效解决微米级制程下的漏电问题。该设计通过超低电阻接点大幅拉高了驱动电流，在已进入生产阶段的x86芯片上，彻底消除了信号线与电源线混杂带来的压降损失。让元件的运算速度提升了约10%。
根据英特尔与研究机构Futurum Research公布的实测数据，
在散热方面，